Speicher aus Halbleiterelementen, die i. a. als Hauptspeicher im Rechner integriert sind und die der Aufbereitung von großen Mengen von Daten und Programmen dienen.
Man unterscheidet:
ROM:
Nur-Lese-Festwertspeicher. Speicherinhalt kann weder verändert noch gelöscht werden. Speicherverhalten nicht flüchtig. Programmierung über Masken bei der Herstellung.
RAM:
Schreib-Lese-Speicher; Speicherverhalten ist flüchtig. Programmierung und Löschung erfolgt elektrisch.
PROM:
Programmierbarer Nur-Lese-Festwertspeicher. Programmierung erfolgt elektrisch, Löschung nicht möglich. Speicherverhalten nicht flüchtig.
Löschbarer Festwertspeicher; Programmierung erfolgt elektrisch, Löschung durch UV-Lichtbestrahlung. Speicherverhalten ist nicht flüchtig.
Elektrisch löschbarer Nur-Lese-Festwertspeicher; Programmierung erfolgt elektrisch; Speicherverhalten ist nicht flüchtig.
EAROM:
Elektrisch umprogrammierbarer Festwertspeicher; Programmierung erfolgt elektrisch, Löschung ist auch wortweise elektrisch möglich. Speicherverhalten ist nicht flüchtig. Sehr gut für Maschinensteuerungen geeignet.
Dynamischer RAM, DRAM:
Die Information erscheint als elektrische Ladung, die wieder abfließt. Damit sie nicht verloren geht, wird die Ladung in kleinen Zeitabständen (einige ms) erneuert. Das geschieht automatisch durch den Prozessor.
DRAM gibt es z. Z. bis 1 Mbit.
Statischer RAM, DRAM:
Die Speicherzellen bestehen aus bistabilen Schaltungselementen mit einer Funktion ähnlich der eines Flip Flop. Die Information ist nicht flüchtig; sie bleibt so lange gespeichert, bis das betreffende Speicherelement neu beschrieben wird. Die SRAM sind erheblich teurer als die DRAM.